二维材料晶体

2H-MoS2 二硫化钼晶体

2H-MoS2（2H Molybdenum Disulfide）是一种间接带隙为 1.2 eV 的半导体。单层 MoS2 的带隙约为 1.8 eV。它···

Semiconductor

NbSe2 二硒化铌晶体

2H-NbSe2 （2H Niobium Diselenide）是一种超导体，Tc ≈ 7.2 K；同时也是电荷密度波（Charge Density Wav···

Superconductor CDW

2H-MoSe2 二硒化钼晶体

MoSe2 (2H Molybdenum Diselenide)是一种半导体层状材料。层间相互作用为范德华（van der Waals）相互作用。···

Semiconductor

WSe2 二硒化钨晶体

WSe2 (Tungsten Diselenide)是一种半导体层状材料。层间相互作用为范德华（van der Waals）相互作用。它是间···

Semiconductor

2H-WS2 二硫化钨晶体

2H-WS2 (2H Tungsten Disulfide)是一种半导体层状材料。层间相互作用为范德华（van der Waals）相互作用。它···

Semiconductor

h-BN 六方氮化硼晶体

六方氮化硼（Hexagonal Boron Nitride, h-BN）是一种带隙约为 6 eV 的绝缘体，已被广泛用作生产由各种二维···

Insulator

2H-TaS2 二硫化钽晶体

2H-TaS2 (2H phase Tantalum Disulfide)是一种金属；在温度低于75 - 80 K是是一种非公度的CDW系统；同时也···

1T-TaS2 二硫化钽晶体

常压下，1T-TaS2 (1T phase Tantalum Disulfide)在温度高于550 K时是金属相；而低于550 K时是非公度CDW相 ···